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| 硅衬底上MOCVD GaAs中位错密度研究 | |
| 作者姓名： | 赵谢群 |
| 摘 要： | 本文用平面 TEM 和熔融 KOH 刻蚀完成了GaAs/Si 中位错密度和 EPD 的估算。GaAs/Si 位错密度可通过原位热循环退火(TCA)和包括原位TCA 和应变层超晶格(SLS)结构的联合生长法来减少。用联合生长法制成了三种含有或不含有错合位 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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