| 电子辐照SiGe HBT和Si BJT的直流特性分析 |
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| 引用本文： | 黄文韬,王吉林,刘志农,陈长春,陈培毅,钱佩信,孟祥提.电子辐照SiGe HBT和Si BJT的直流特性分析[J].核技术,2005,28(3):213-216. |
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| 作者姓名： | 黄文韬 王吉林 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
2. 清华大学核能设计研究院,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10075029、69836020)和国家"863"高技术研究发展计划项目(2002AA3Z1230)资助 |
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| 摘 要： | 研究了1MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,Ic和β都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β都减小。对si BJT而言,IB和Ic与在相同辐照剂量辐照后的SiGe HBT相比都增大很多,β下降幅度也很大。这说明SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。
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| 关 键 词： | 电子辐照 SiGe异质结晶体管（HBT） Si双极晶体管（BJT） 电学特性 |
Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT |
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| HUANG Wentao,WANG Jilin,LIU Zhinong,CHEN Changchun,CHEN Peiyi,QIAN Peixin,MENG Xiangti.Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT[J].Nuclear Techniques,2005,28(3):213-216. |
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| Authors: | HUANG Wentao WANG Jilin LIU Zhinong CHEN Changchun CHEN Peiyi QIAN Peixin MENG Xiangti |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Electron irradiation SiGe HBT Si BJT Electrical performance |
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