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| GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展 | |
| 引用本文： | 苑进社,陈光德,张显斌. GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展[J]. 半导体光电, 2003, 24(1): 5-11 |
| 作者姓名： | 苑进社 陈光德 张显斌 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学,应用物理系,陕西,西安,710049;西安理工大学,应用物理系,陕西,西安,710048 2. 西安交通大学,应用物理系,陕西,西安,710049 3. 西安理工大学,应用物理系,陕西,西安,710048 |
| 摘 要： | 基于半导体紫外光探测器的基本类型，在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时，综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状，并报道了GaN基宽带半导体太阳盲区紫外光探测器研究新进展。 |
| 关 键 词： | GaN基半导体 紫外辐射 太阳盲区 紫外探测器 |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)01-0005-07 |
Research Progress in Solar-blind GaN-based Semiconductor UV Detectors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | GaN-based semiconductor ultraviolet radiation solar-blind UV detectors |
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