| 分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究 |
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| 引用本文： | 杨瑛,王红真,范柳燕,陈平平,刘博文,贺训军,顾溢,马英杰,李淘,邵秀梅,李雪. 分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(6): 987-994 |
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| 作者姓名： | 杨瑛 王红真 范柳燕 陈平平 刘博文 贺训军 顾溢 马英杰 李淘 邵秀梅 李雪 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学 电气与电子工程学院，黑龙江 哈尔滨 150080;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,哈尔滨理工大学 电气与电子工程学院，黑龙江 哈尔滨 150080,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（62075229，62175250），上海市青年科技启明星（21QA1410600），上海市国际合作项目（20520711200），上海市学术带头人（21XD1404200） |
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| 摘 要： | 研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响，分析了生长温度、V/III比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明：适中的生长温度和V/III比可以提高材料晶格质量，减少非辐射复合，降低本底杂质浓度。As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570 ℃，As分子束形态为As2，V/III比为18时，可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度，室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014 cm-3和4.0×1014 cm-3，迁移率分别达到13 400 cm2/Vs和45 160 cm2/Vs。
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| 关 键 词： | InGaAs 高铟组分 短波红外 分子束外延 迁移率 |
| 收稿时间： | 2022-05-05 |
| 修稿时间： | 2022-11-09 |
Study on Molecular Beam Epitaxy of High indium InGaAs Films |
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| YANG Ying,WANG Hong-Zhen,FAN Liu-Yan,CHEN Ping-Ping,LIU Bo-Wen,HE Xun-Jun,GU Yi,MA Ying-Jie,LI Tao,SHAO Xiu-Mei and LI Xue. Study on Molecular Beam Epitaxy of High indium InGaAs Films[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(6): 987-994 |
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| Authors: | YANG Ying WANG Hong-Zhen FAN Liu-Yan CHEN Ping-Ping LIU Bo-Wen HE Xun-Jun GU Yi MA Ying-Jie LI Tao SHAO Xiu-Mei LI Xue |
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