| 量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 |
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| 引用本文： | 李志伟,张卓,张建伟,张星,周寅利,曾玉刚,宁永强,王立军.量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器[J].红外与毫米波学报,2022,41(6):951-957. |
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| 作者姓名： | 李志伟 张卓 张建伟 张星 周寅利 曾玉刚 宁永强 王立军 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室，吉林 长春 130033 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2018YFB2201103），国家自然科学基金重大项目（62090060），国家自然科学基金（61874117，52172165，61804087），吉林省科技发展计划项目（20200401006GX） |
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| 摘 要： | 报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器（VECSEL）。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成，其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式，另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时，吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射，由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应，此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡，采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加，VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出，激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW，光斑在正交方向呈现对称高斯形貌，正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 双波长工作 垂直外腔面发射半导体激光器 强度调制 |
| 收稿时间： | 2022/2/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/11/8 0:00:00 |
Quantum well modulated optical pumped vertical external cavity surface-emitting laser for dual-wavelength generation |
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| LI Zhi-Wei,ZHANG Zhuo,ZHANG Jian-Wei,ZHANG Xing,ZHOU Yin-Li,ZENG Yu-Gang,Ning Yong-Qiang and WANG Li-Jun.Quantum well modulated optical pumped vertical external cavity surface-emitting laser for dual-wavelength generation[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(6):951-957. |
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| Authors: | LI Zhi-Wei ZHANG Zhuo ZHANG Jian-Wei ZHANG Xing ZHOU Yin-Li ZENG Yu-Gang Ning Yong-Qiang and WANG Li-Jun |
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