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| 砷化镓低温合成简介 | |
| 作者姓名： | 刘思林 宣关兴 高书增 刘二海 孙同年 |
| 摘 要： | 随着砷化镓场效应晶体管的迅速发展,要求低掺铬、热稳定性好的半绝缘砷化镓单晶作衬底。目前国内外制得的掺铬半绝缘砷化镓采用水平法及液封直拉法生长获得。一般情况掺铬量高、热稳定性不佳,其原因是由于合成过程中引入了硅沾污。我们将高压液封直拉技术用于砷化镓,进行了砷化镓的低温合成研究。目前已成功地掌握了砷化镓的低温合成工艺,这种工艺用于砷化镓会使砷化镓的合成变得简单、可靠、而且重复性好,合成后的倾刻也可方便地进行晶体生长。下面简介砷化镓低温合成 |
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