| 抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究 |
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| 引用本文： | 李燕妃,朱少立,吴建伟,徐政,洪根深. 抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(2): 38-41 |
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| 作者姓名： | 李燕妃 朱少立 吴建伟 徐政 洪根深 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072 |
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| 摘 要： | 通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
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| 关 键 词： | 高压SOI NMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固 |
Research on Back-gate Effect in Radiation-hardened High-voltage SOI NMOS Device |
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