| 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究 |
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| 引用本文： | 花正勇,马艺珂,殷亚楠,周昕杰,陈瑶,姚进,周晓彬.0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究[J].电子与封装,2019,19(8):36-38,43. |
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| 作者姓名： | 花正勇 马艺珂 殷亚楠 周昕杰 陈瑶 姚进 周晓彬 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡,214072 |
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| 摘 要： | 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
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| 关 键 词： | FD-SOI 仿真 辐射 单粒子 LET 偏置 |
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