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半导体微腔激光器阈值特性分析
引用本文:吴根柱,张宝顺,曲轶,任大翠,张兴德.半导体微腔激光器阈值特性分析[J].半导体光电,2000,21(5):325-327.
作者姓名:吴根柱  张宝顺  曲轶  任大翠  张兴德
作者单位:长春光机学院,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
摘    要:利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数β之间的关系,分析了降低阈值的途径,为器件设计提供了依据。

关 键 词:微腔激光器  速率方程  自发发射  半导体激光器

Analysis on Threshold Characteristics in Semiconductor Microcavity Lasers
WU Gen-zhu,ZHANG Bao-shun,QU Yi,REN Da-cui,ZHANG Xing-de.Analysis on Threshold Characteristics in Semiconductor Microcavity Lasers[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(5):325-327.
Authors:WU Gen-zhu  ZHANG Bao-shun  QU Yi  REN Da-cui  ZHANG Xing-de
Abstract:
Keywords:semiconductor microcavity laser  rate equation  coupling coefficient of spontaneous emission
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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