| GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究 |
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| 引用本文： | 刘岳巍,杨瑞霞,武一宾,陈昊.GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究[J].河北工业大学学报,2006,35(2):52-55. |
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| 作者姓名： | 刘岳巍 杨瑞霞 武一宾 陈昊 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌.
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| 关 键 词： | GaNHEMT 欧姆接触 比接触电阻 光学显微镜 |
| 文章编号： | 1007-2373(2006)02-0052-04 |
| 修稿时间： | 2005年12月1日 |
Study of Ohmic Contact to GaN HEMT Epilayers |
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| LIU Yue-wei,YANG Rui-xia,WU Yi-bin,CHEN Hao.Study of Ohmic Contact to GaN HEMT Epilayers[J].Journal of Hebei University of Technology,2006,35(2):52-55. |
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| Authors: | LIU Yue-wei YANG Rui-xia WU Yi-bin CHEN Hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN HEMT ohmic contact specific contact resistance the optical microscope |
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