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达林顿硅光电晶体管的光放大特性
引用本文:郑云光,张培宁,郭维廉,李树荣,王海英. 达林顿硅光电晶体管的光放大特性[J]. 半导体技术, 1999, 24(5): 9-11,29
作者姓名:郑云光  张培宁  郭维廉  李树荣  王海英
作者单位:天津大学电子信息工程学院,天津,300072
基金项目:国家自然科学基金;69477011;
摘    要:通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度,并用12V,0.25A的小灯泡作为输出发光元件,在26.5μW的红光照射下,器件可输出光电流100mA以上,输出光功率为2000μW。

关 键 词:达林顿硅光电晶体管  光功率增益

Light Amplified Characteristic of the Darlington Silicon Photo-transistor
Zheng Yunguang,Zhang Peining,Guo Weilian,Li Shurong,Wang Haiying. Light Amplified Characteristic of the Darlington Silicon Photo-transistor[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(5): 9-11,29
Authors:Zheng Yunguang  Zhang Peining  Guo Weilian  Li Shurong  Wang Haiying
Abstract:
Keywords:Darlington silicon photo transistor Light power gain
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