| 脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜 |
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| 引用本文： | 曹亮亮,叶志镇,王新昌,赵炳辉. 脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(3): 211-213,221 |
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| 作者姓名： | 曹亮亮 叶志镇 王新昌 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对LiNbO3薄膜的结晶品质,择优取向性以及表面形貌进行了系统的分析.结果表明生长出了具有优异晶体质量的c轴取向LiNbO3薄膜,表面光滑平整且无裂纹产生,表面粗糙度约4.8nm,有利于硅基光电子器件的制备和利用.
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| 关 键 词： | LiNbO3薄膜 Si(111) c轴取向 脉冲激光沉积 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）03-0211-03 |
| 收稿时间： | 2004-08-03 |
| 修稿时间： | 2004-08-03 |
Highly c-Axis Oriented LiNbO3 Thin Film Directly Grown on Si(111) Substrate by Pulsed Laser Deposition |
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| Cao Liangliang,YE Zhizhen,Wang Xinchang,Zhao Binghui. Highly c-Axis Oriented LiNbO3 Thin Film Directly Grown on Si(111) Substrate by Pulsed Laser Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(3): 211-213,221 |
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| Authors: | Cao Liangliang YE Zhizhen Wang Xinchang Zhao Binghui |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou,310027, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LiNbO_3 thin film Si(111) c-axis orientation Pulsed laser deposition |
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