| 硅纳米线的合成及表征 |
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| 引用本文： | 裴立宅,唐元洪,陈扬文,张勇,郭池. 硅纳米线的合成及表征[J]. 半导体光电, 2005, 26(3): 172-176 |
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| 作者姓名： | 裴立宅 唐元洪 陈扬文 张勇 郭池 |
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| 作者单位： | 湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 掺杂 表征 性能 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)03-0172-05 |
| 修稿时间： | 2004-09-09 |
Synthesis and Characterizations on Si Nanowires |
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| PEI Li-zhai,TANG Yuan-hong,CHEN Yang-wen,ZHANG Yong,GUO Chi. Synthesis and Characterizations on Si Nanowires[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(3): 172-176 |
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| Authors: | PEI Li-zhai TANG Yuan-hong CHEN Yang-wen ZHANG Yong GUO Chi |
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| Abstract: | At present,a great quantity of Si nanowires are synthesized by VLS growth mechanism and oxide-assisted growth mechanism.Si nanowire is effectively studied by electron microscopy,energy dispersive X-ray analysis,X-ray photoelectron energy spectrum,Raman spectrum,near edge X-ray absorption fine structure spectrum,I-V,photoluminescence,field-emission and electrical transport measurement.The recent progress on the synthesis and characterizations of Si nanowires are introduced and development prospect is also forecacted. |
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| Keywords: | Si nanowire doping characterization properties |
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