| PHEM T 材料MBE 生长及其应用 |
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| 引用本文： | 邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHEM T 材料MBE 生长及其应用[J].电子器件,2001,24(3):174-177. |
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| 作者姓名： | 邱凯 尹志军 谢自力 方小华 王向武 将朝晖 陈建炉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g\-m≥400 ms/mm,BV\-\{DS\}>1 5V,BV\-\{GS\}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.
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| 关 键 词： | 分子束外延 赝配高电迁移率晶体管 低温砷化镓 PHEMT材料 |
| 文章编号： | 1005-9490(2001)03-01743-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月8日 |
MBE Growth of PHEMTMater ial and Its Appl ication |
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| K a i Q IU,Z h ijun Y IN,Z h ili X IE,x iaohua FA N G,x iangw u W A N G.MBE Growth of PHEMTMater ial and Its Appl ication[J].Journal of Electron Devices,2001,24(3):174-177. |
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| Authors: | K a i Q IU Z h ijun Y IN Z h ili X IE x iaohua FA N G x iangw u W A N G |
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| Affiliation: | N anj ing E lectronic D ev ice Institu te, |
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| Abstract: | We optimized growth conditions of the strained InGaAs channel with LT GaAs buffer layer for power PHEMT.The results indicated the success of devices application. |
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| Keywords: | MBE PHEMT CT GaAs |
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