一种新型低冗余抗多节点翻转的加固D锁存器设计

在航空航天等高辐射领域中,电荷共享效应引起的多节点翻转(Multiple-Node Upset,MNU)在D锁存器中愈发频繁,其可严重影响电子系统的功能。虽然目前现有的抗MNU加固D锁存器能够对MNU进行容错恢复,但是其硬件开销非常大。为解决这一问题,本文设计了一种新型低冗余抗MNU的加固D锁存器。在TSMC 65nm CMOS工艺下对该锁存器时序及容错功能进行的仿真验证结果表明,与现有抗MNU锁存器相比,本文构造的加固锁存器不仅可恢复MNU,而且具有面积更小、功耗更低、传输时间更短的优点。