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| 含F栅介质的击穿特性研究 | |
| 引用本文： | 张国强,郭旗,余学锋,任迪远,严荣良.含F栅介质的击穿特性研究[J].半导体学报,1998,19(10):784-787. |
| 作者姓名： | 张国强 郭旗 余学锋 任迪远 严荣良 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响．用一定模型解释了实验结果 |
| 关 键 词： | MOS 含F栅介质 击穿 可靠性 |
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