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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
含F栅介质的击穿特性研究
作者姓名:
张国强
郭旗
余学锋
任迪远
严荣良
作者单位:
中国科学院新疆物理研究所
摘 要:
本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响.用一定模型解释了实验结果
关 键 词:
MOS 含F栅介质 击穿 可靠性
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