GaAs单片集总元件多级微波放大器

本文报导了用于RF和DC电路中用真正的集总元件实现的四级直接级联GaAs FET单片前置放大器芯片的成功进展。设计的芯片全部自偏置,而且芯片上包括了所有工作需要的、从单一漏电源供电的DC电路。设计基于平面结构的栅长标称为1μm叉指型的FET图形。器件制作采用选择离子注入工艺,制成的芯片面积是0.060×0.110in,厚0.015in。芯片给出大于20dB增益,带宽为2GHz,中心频率接近7GHz,已达到的噪声系数是6dB,输出功率在1dB增益压缩点上的典型值是+8dBm,三级互调截止点接近+20dBm。