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| α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究 | |
| 作者姓名： | 陈志忠 沈波 杨凯 张序余 陈浩 陈鹏 臧岚 周玉刚 郑有炓 吴宗森 孙晓天 陈峰 |
| 作者单位： | [1]南京大学物理系 [2]南京大学电子工程系 |
| 摘 要： | 本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下，加热样品至３００℃，光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化，对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样，发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升，停止光照，光电导锐利下降并出现振荡，表明光照停止后，载流子在导带和深陷阱能级的 |
| 关 键 词： | 氧化铝 氮化镓 外延生长 |
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