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| 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质 | |
| 作者姓名： | 陈开茅 孙文红 秦国刚 吴克 李传义 章其麟 周锡煌 顾镇南 |
| 作者单位： | 北京大学物理系，电子工业部第十三研究所，北京大学化学系 |
| 摘 要： | 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入． |
| 关 键 词： | 氮化镓 电学性质 制备 |
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