|
|||||
|
|
| Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心 | |
| 引用本文： | 王海龙,司俊杰.Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心[J].半导体学报,1999,20(9):737-742. |
| 作者姓名： | 王海龙 司俊杰 |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质，在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心，在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ，Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ，并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１，其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ，在Ｇｅ／ |
| 关 键 词： | 硅 量子阱 应变超晶格 DLTS 外延生长 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |