硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 |
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引用本文: | 高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响[J].半导体学报,1999,20(5):383-388. |
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作者姓名: | 高文钰 刘忠立 和致经 于芳 梁桂荣 李国花 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 实验研究表明热生长13nm薄SiO2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系.氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO2的可靠性;氧化前用NH4OH/H2O2/H2O(0.05∶2∶5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO2可靠性很有效;用H2SO4/H2O2(3∶1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为0.05∶2∶5或1∶2∶5的NH4OH/H2O2/H2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好.另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗
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关 键 词: | 硅 二氧化硅 热氧化 表面清洗 可靠性 |
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