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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SiGe HBTs高频特性模拟分析
作者姓名:
赵立新
沈光地
作者单位:
北京工业大学电子工程系
摘 要:
本文详细分析了下述问题:(1)在基区厚度减薄到几十纳米后,发射区时间常数、集电区时间常数对SiGeHBTs的高频特性的影响;(2)低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响;(3)在发射结耗尽层中,除了固定电荷因素引起的电容外,发射结正常工作加正向偏压时,由于自由载流子注入引起的EB结电容.由以上物理分析可以得出器件的有关参数,并由器件的等效电路,对器件的高频特性进行分析和模拟,对影响器件高频特性的参数进行优化.
关 键 词:
锗化硅 HBTs 外延生长 高频特性 模拟分析
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