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分类号
杂志ISSN号
浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应
作者姓名:
朱洪亮
韩德俊
胡雄伟
汪孝杰
王圩
作者单位:
[1]中国科学院半导体研究所 [2]北京师范大学低能核物理所
摘 要:
利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm.发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsPMQW,在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应
关 键 词:
混合蓝移效应 SL-MQW 激光器 浅离子注入
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