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| 生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响 | |
| 引用本文： | 陈博,王圩.生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响[J].半导体学报,1999,20(12):1054-1058. |
| 作者姓名： | 陈博 王圩 |
| 作者单位： | 国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所!北京100083 |
| 摘 要： | 研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍＡｌＧａＩｎＡｓ有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ结构材料，为器件制作研究打下了基础． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 InP AlGaInAs LP－MOCVD 生长温度 |
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