| 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究 |
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| 作者姓名： | 赵德刚 杨辉 徐大鹏 李建斌 王玉田 郑联喜 李顺峰 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京10 |
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| 摘 要： | 本文通过光致发光（ＰＬ）测试发现了ＮＨ３流量的大小对以ＧａＡｓ（１００）为衬底生长立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体性质的影响的规律，ＮＨ３流量愈少，立方相ＡｌＧａＮ的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中，ＮＨ３气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体，并对实验结果进行了简单的讨论
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| 关 键 词： | 光致发光 氮化镓 砷化镓 |
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