| Ge单晶抛光片清洗技术研究 |
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| 引用本文： | 杨洪星,李响,刘春香,赵权.Ge单晶抛光片清洗技术研究[J].半导体技术,2008,33(4):308-310. |
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| 作者姓名： | 杨洪星 李响 刘春香 赵权 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力.通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制了Ge抛光片的氧化层深度.研制样品的指标,Ge抛光片表面的颗粒数不超过10个(颗粒直径大于0.3μm),氧化层深度不超过2 nm.目前,国内尚无Ge单晶抛光片"免清洗"的相关检验标准.将样品直接放入外延炉生长外延,得到了较好的外延结果,可以认为Ge抛光片达到了"免清洗"的要求.
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| 关 键 词： | 锗 抛光片 清洗技术 |
| 文章编号： | 1003-353X(2008)04-0308-03 |
| 修稿时间： | 2007年12月14 |
Research of Clean Process of Ge Polished Wafer |
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| Yang Hongxing,Li Xiang,Liu Chunxiang,Zhao Quan.Research of Clean Process of Ge Polished Wafer[J].Semiconductor Technology,2008,33(4):308-310. |
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| Authors: | Yang Hongxing Li Xiang Liu Chunxiang Zhao Quan |
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| Affiliation: | Yang Hongxing,Li Xiang,Liu Chunxiang,Zhao Quan(The 46th Research Institute,CETC,Tianjin 300220,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge polished wafer clean process |
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