|
|||||
|
|
| 立方相InCaN的稳态和瞬态我学特性研究 | |
| 引用本文： | 徐仲英,葛惟昆.立方相InCaN的稳态和瞬态我学特性研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):11-14. |
| 作者姓名： | 徐仲英 葛惟昆 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所,北京 [2]香港科技大学物理系,北京 |
| 摘 要： | 用光荧光和时间分辨光谱技术研究了ＭＥＢ生长立方Ｉｎ１－ｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．１５０．２６）外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明ＩｎＧａＮ发光主要来自局域激子发光，局域化是由合金无序造成的，相应局域化能量为６０ｍｅＶ左右。荧光衰退呈现双指数特性，快过程（５０ｐｓ，１２Ｋ）是自由激子的快速驰豫引起的，而慢过程（２００￣２７０ｐｓ，１２Ｋ）则对应局域激子发光，其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局 |
| 关 键 词： | InCaN 激光材料 半导体 稳态 光学特性 瞬态 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 | |