γ射线在硅界面附近的剂量分布 |
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作者姓名: | 巴维真 吾勤之 |
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作者单位: | 中国科学院新疆物理研究所 |
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摘 要: | 研究了金、钨等多种材料与硅交界时^60Coγ射线在界面硅一侧产生的深度剂量分布。将该分布与均匀硅材料中的平衡剂量比较,发现在界面附近具有明显的剂量梯度分布。特别在金等高原子序数与硅交界的情况下,硅界面的剂量有显著增强现象,以康普顿散射,光电、俄歇效应和次级电子的输运机制为基础,用半径验电子输运方程对界面附近的剂量梯度分布进行了计算,得到了与实验符合较好的结果。
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关 键 词: | γ射线 硅 界面 剂量分布 钴60 |
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