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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
电力半导体模块新趋势
作者姓名:
曹杰
吴济均
作者单位:
[1]淄博市临淄银河高技术开发有限公司 [2]西安电力电子技术研究所
摘 要:
一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观,促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来,经过40多年的开发和研究,已推出可关断晶闸管(GTO),绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件,目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。
关 键 词:
电力半导体模块 MOS结构 晶闸管 IGBT智能模块
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