| 6H-SiC材料的氧化特性 |
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| 引用本文： | 李跃进,杨银堂,柴常春,任昌河. 6H-SiC材料的氧化特性[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2000, 27(4): 460-463 |
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| 作者姓名： | 李跃进 杨银堂 柴常春 任昌河 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目! (69772 0 2 3)，国家部委预研基金资助项目! (8.1 .7.3) |
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| 摘 要： | 研究了１０００～１２００℃温度下干氧和湿氧中６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化特性，讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系，实验结果表明，在相同的生长条件下，６Ｈ－ＳｉＣ材料的氧化层厚度远小于Ｓｉ的氧化层厚度，且遵循相同的生长规律。
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| 关 键 词： | 6H－SiC 氧化特性 二氧化硅 |
Research on the oxidation characteristics of 6H-SiC |
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| LI Yue-jin,YANG Yin-tang,CHAI Chang-chun,REN Chang-he. Research on the oxidation characteristics of 6H-SiC[J]. Journal of Xidian University, 2000, 27(4): 460-463 |
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| Authors: | LI Yue-jin YANG Yin-tang CHAI Chang-chun REN Chang-he |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 6H-SiC oxidation temperature SiO_2 |
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