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| ZnO同质p-n结的研究 | |
| 引用本文： | 杨晓杰,许小亮,谢家纯,徐传明,徐军,刘洪图.ZnO同质p-n结的研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(Z1):101-104. |
| 作者姓名： | 杨晓杰 许小亮 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图 |
| 作者单位： | 1. 中国科技大学物理系,合肥,230026 2. 中国科技大学物理系,合肥,230026;中国科学院中国科技大学结构分析重点实验室,合肥,230026 3. 中国科技大学物理系,合肥,230026;中国科技大学精密机械与精密仪器系,合肥,230027 |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目，安徽省人才基金，安徽省高新技术基金 |
| 摘 要： | 调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结. |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 同质 p-n结 p型 |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)增-101-04 |
| 修稿时间： | 2004年5月1日 |
Research of ZnO Homojeneous p-n Junction |
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| Yang Xiaojie,Xu Xiaoliang,Xie Jiachun,Xu Chuanming,Xu Jun,Liu Hongtu.Research of ZnO Homojeneous p-n Junction[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(Z1):101-104. | |
| Authors: | Yang Xiaojie Xu Xiaoliang Xie Jiachun Xu Chuanming Xu Jun Liu Hongtu |
| Abstract: | |
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