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微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能
引用本文:宗登刚,王钻开,陆德仁,王聪和,陈刚.微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能[J].功能材料与器件学报,2003,9(2):133-138.
作者姓名:宗登刚  王钻开  陆德仁  王聪和  陈刚
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海,200050;香港理工大学应用物理系,香港
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海,200050
3. 香港理工大学应用物理系,香港
4. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
基金项目:国家973重点基础研究发展规划项目(G1999033103),香港理工大学智能材料中心"MechanicalpropertiesofMicro-cantileversandMicroelectromechanicalPiezoelectricAcousticMicrophones"项目(1.11.37.A310)
摘    要:利用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究低应力LPCVD氮化硅薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形对挠度有贡献的微桥挠度解析表达式。对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。低应力LPCVD氮化硅薄膜的研究结果:杨氏模量为(308.4±24.1)GPa,残余应力为(252.9±32.4)MPa,弯曲强度为(6.2±1.3)GPa。

关 键 词:氮化硅薄膜  力学性能  微机械悬桥  纳米压入仪  杨氏模量  残余应力  弯曲强度
文章编号:1007-4252(2003)02-0133-06
修稿时间:2002年8月5日

Investegation of mechanical property of LPCVD silicon nitride film with micromachined bridge
ZONG Deng-gang ,WANG Zuan-kai ,LU De-ren ,ONG Chung-wo ,CHEN Gang.Investegation of mechanical property of LPCVD silicon nitride film with micromachined bridge[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(2):133-138.
Authors:ZONG Deng-gang    WANG Zuan-kai  LU De-ren  ONG Chung-wo  CHEN Gang
Affiliation:ZONG Deng-gang 1,2,WANG Zuan-kai 1,LU De-ren 1,ONG Chung-wo 2,CHEN Gang 3
Abstract:
Keywords:MEMS  bridge  LPCVD  silicon nitride  Young's modulus  residual stress  bending  strength  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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