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| 掺磷a—Si：H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究 | |
| 引用本文： | 史磊,李伟,匡跃军,廖乃镘,蒋亚东.掺磷a—Si：H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究[J].半导体光电,2007,28(1):80-82,103. |
| 作者姓名： | 史磊 李伟 匡跃军 廖乃镘 蒋亚东 |
| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,四川成都610054 |
| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比（PH3/SiH4）的增大和气体温度的升高而降低，但随退火温度的升高而增大，掺磷a-Si：H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大，但随环境温度的升高而降低。 |
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 掺磷非晶硅薄膜 电阻率 电阻温度系数 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）01-0080-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-11 |
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