HIRF条件下机载电子设备屏蔽性能研究 |
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引用本文: | 韩征,马振洋,史春蕾,程争.HIRF条件下机载电子设备屏蔽性能研究[J].电光与控制,2022(11):106-111. |
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作者姓名: | 韩征 马振洋 史春蕾 程争 |
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作者单位: | 1. 中国民航大学工程技术训练中心;2. 中国民航大学民航航空器适航审定技术重点实验室;3. 中国民航大学安全科学与工程学院 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费专项资金(3122017044); |
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摘 要: | 机载电子设备在飞机飞行中容易受到高强度辐射场(HIRF)的干扰,设备壳体电磁屏蔽性能的好坏关系到其功能的发挥和飞行安全。本文采用平面波辐照的方式模拟HIRF环境,并以某机载电子设备为研究对象开展仿真试验。建立模型以后,首先,从时域和频域的角度测试得到了设备内部中心线探针上的电场强度,结果符合电磁波传播规律和谐振腔理论;然后,通过计算得出了探针处的屏蔽效能曲线,分析了屏蔽效能与入射面板以及HIRF频率的关系;最后,通过设备表面的电场强度分布情况进一步验证了屏蔽性能的规律。所得结论对机载电子设备屏蔽体的设计和HIRF防护具有一定的理论和实际意义。
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关 键 词: | 机载电子设备 高强度辐射场 屏蔽效能 孔缝 谐振 |
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