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| InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管 | |
| 引用本文： | Swirh.,S 曾庆明.InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管[J].半导体情报,1995,32(2):23-26. |
| 作者姓名： | Swirh. S 曾庆明 |
| 摘 要： | 在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０． |
| 关 键 词： | p－沟 n－沟 异质结 HIGFET InP衬底 |
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