SiC器件—物理与数值模拟 |
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引用本文: | Ruff.,M 李栓庆.SiC器件—物理与数值模拟[J].半导体情报,1995,32(5):7-22. |
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作者姓名: | Ruff. M 李栓庆 |
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摘 要: | 从文献中摘出了6H碳化硅(6H-SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n^-1二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二管开关性能较高,同时由于6H-SiCp-n结内建电压较高,其正向功率损耗比S
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关 键 词: | 碳化硅 半导体器件 物理模拟 数值模拟 |
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