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| SiC器件—物理与数值模拟 | |
| 引用本文： | Ruff.,M 李栓庆.SiC器件—物理与数值模拟[J].半导体情报,1995,32(5):7-22. |
| 作者姓名： | Ruff. M 李栓庆 |
| 摘 要： | 从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ |
| 关 键 词： | 碳化硅 半导体器件 物理模拟 数值模拟 |
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