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| 电力器件用的6H—SiC,3C—SiC和Si的比较 | |
| 引用本文： | Bhatn.,M 张汉三.电力器件用的6H—SiC,3C—SiC和Si的比较[J].半导体情报,1995,32(5):23-32. |
| 作者姓名： | Bhatn. M 张汉三 |
| 摘 要： | 为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａ／ｃｍ＾２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这 |
| 关 键 词： | 碳化硅 电力器件 硅 |
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