| In2O3气敏元件的研制及影响因素的研究 |
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| 引用本文： | 程知萱,潘庆谊,董晓雯. In2O3气敏元件的研制及影响因素的研究[J]. 稀有金属, 2005, 29(2): 173-176 |
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| 作者姓名： | 程知萱 潘庆谊 董晓雯 |
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| 作者单位： | 上海大学理学院化学系,上海,200436 |
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| 基金项目： | 上海市科委纳米专项基金资助项目 (0352nm068) |
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| 摘 要： | 以氯化铟为前驱体, OP-10为形貌控制剂, 采用溶胶-凝胶法制备了纳米In2O3粉体, 并以TG-DSC, XRD, TEM等多种手段对粉体进行了表征.以此粉体为气敏材料, 采用涂敷烧结的方法制成旁热式气敏传感元件, 研究了该元件对三甲胺(TMA)的检测性能, 重点讨论存在NH3干扰情况下的气敏性能.结果表明 350 ℃煅烧1 h制备的In2O3粉体, 晶粒尺寸＜20 nm, 呈立方晶型; 该粉体制成的气敏元件对TMA气体的检测灵敏度比起H2, C2H5OH等气体要高的多, 因此可用于选择性检测TMA; 此外, 该元件对NH3也有一定的响应, 进一步研究发现NH3存在对TMA检测的影响主要是NH3在In2O3材料表面的吸附所至.掺杂Pd2+可提高In2O3材料的检测灵敏度, 降低检测温度; Pd2+的掺杂量在质量分数0.2%～5% PdCl2-In2O3范围内变化对TMA检测灵敏度的影响不明显.
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| 关 键 词： | 气敏元件 纳米In2O3 三甲胺 NH3 |
| 文章编号： | 0258-7076(2005)02-0173-04 |
Preparation of In2O3 Sensor and Factors Influencing Its Gas-Sensitivity |
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| Cheng Zhixuan,Pan Qingyi,Dong Xiaowen. Preparation of In2O3 Sensor and Factors Influencing Its Gas-Sensitivity[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2005, 29(2): 173-176 |
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| Authors: | Cheng Zhixuan Pan Qingyi Dong Xiaowen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano-sized In_2O_3 gas-sensitivity TMA NH_3 |
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