| GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征 |
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| 引用本文： | 李晓婷,汪韬,王警卫,王一丁,殷景致,赛小锋,高鸿楷,张志勇. GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征[J]. 半导体学报, 2005, 26(12) |
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| 作者姓名： | 李晓婷 汪韬 王警卫 王一丁 殷景致 赛小锋 高鸿楷 张志勇 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目 , 中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响.获得了与GaSb衬底晶格失配度为0.4%的表面光亮且晶体质量较好的InAs0.85Sb0.15外延层.
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| 关 键 词： | LP-MOCVD GaSb InAsSb 生长 LP-MOCVD GaSb InAsSb growth GaSb 合金 低压 MOCVD 生长 表征 Layers Ternary InAsSb Growth epitaxy epilayer surface morphology lattice mismatch Hall technique room temperature electrical properties crystalline quality |
Growth and Characterisation of InAsSb Ternary Layers on (100) GaSb Substrates by LP-MOCVD |
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| Li Xiaoting,Wang Tao,Wang Jingwei,Wang Yiding,Yin Jingzhi,Sai Xiaofeng,Gao Hongkai,Zhang Zhiyong. Growth and Characterisation of InAsSb Ternary Layers on (100) GaSb Substrates by LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(12) |
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| Authors: | Li Xiaoting Wang Tao Wang Jingwei Wang Yiding Yin Jingzhi Sai Xiaofeng Gao Hongkai Zhang Zhiyong |
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