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基片负偏压对PEMSIP法铁基体TiN涂层相组成的影响
引用本文:王玉魁,李声,李秀兰,高路斯,韩会民. 基片负偏压对PEMSIP法铁基体TiN涂层相组成的影响[J]. 材料科学与工程学报, 1995, 0(4)
作者姓名:王玉魁  李声  李秀兰  高路斯  韩会民
作者单位:大连理工大学
摘    要:利用等离子体增强磁控溅射离子镀(PEMSIP)技术在铁基体上沉积TiN涂层之前,先镀一层很薄的钛中间层,继之再沉积TiN。研究了基片负偏压对涂层相组成的影响。结果表明,随着基片负偏压增加,膜层的相分朝着富氮相及其含量增加的方向发展,变化趋势为(α-Ti+Ti_2N+TiN)→(Ti_2N+TiN)→TiN。在基体与中间层界面处有FeTi相;在中间层与后继膜的交接处,发现α=1与Ti_2N有取向关系。

关 键 词:等离子体增强,磁控溅射,基片负偏压,相组成,TiN

The Influence of Substrate Negative Bias on Component Phases of Fe Base TiN Coating by Plasma Enhanced Magnetron Sputtering lon plating
Wang Yukui, Li Sheng, Li Xiulan, Gao Lusi,Han Huimin. The Influence of Substrate Negative Bias on Component Phases of Fe Base TiN Coating by Plasma Enhanced Magnetron Sputtering lon plating[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 1995, 0(4)
Authors:Wang Yukui   Li Sheng   Li Xiulan   Gao Lusi  Han Huimin
Abstract:
Keywords:Plasma enhance   Magnetron sputtering   Substrate negative bias  Component phase   TiN
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