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| IR展示超小型DirectFET MOSFET | |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6… |
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