| ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小 |
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| 引用本文： | 翁寿松.ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小[J].微纳电子技术,2002,39(11):1-4. |
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| 作者姓名： | 翁寿松 |
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| 作者单位： | 无锡市罗特电子有限公司,江苏,无锡,214002 |
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| 摘 要： | 2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。
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| 关 键 词： | 国际半导体技术指南 芯片 特征尺寸 摩尔定律 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)11-0001-04 |
| 修稿时间： | 2002年8月7日 |
The ITRS 2001 and reduction of the chip feature size |
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| WENG Shou-song.The ITRS 2001 and reduction of the chip feature size[J].Micronanoelectronic Technology,2002,39(11):1-4. |
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| Authors: | WENG Shou-song |
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| Abstract: | The ITRS2001makes a programme about semiconductor technology in the next fifteen years.The further reduction of chip feature size is emphasized:2001/0.13μm,2004/90nm,2007/70nm,2010/50nm,2013/30nm and2016/22nm.The main reason hindering the reduc-tion of the chip feature size is optical lithography technology.The New Optical lithogtaphy tech-nologies are developed fastly in the world,such as157nm optical lithography,EBL and EUVL.This paper introduces a controversy for the chip feature size reduction.The prospects and existing question s of chip feature size reduction are forecasted. |
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| Keywords: | ITRS chip feature size Moore law |
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