| 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上) |
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| 引用本文： | 何波,徐静,马忠权,史衍丽,赵磊,李凤,孟夏杰,沈玲.离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)[J].红外,2009(1). |
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| 作者姓名： | 何波 徐静 马忠权 史衍丽 赵磊 李凤 孟夏杰 沈玲 |
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| 作者单位： | 上海大学理学院物理系;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室;昆明物理研究所; |
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| 基金项目： | 上海市教委创新基金(No．08YZ12);;上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金(No．SS-E0700601)资助 |
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| 摘 要： | 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
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| 关 键 词： | HgCdTe 环孔pn结 Ⅰ-Ⅴ特性 动态电阻 表面漏电流 |
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