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| 非晶态半导体多层膜a-Si:H/a-SiN_x:H结构在低温下的PPC效应研究 | |
| 引用本文： | 王万录,廖克俊,马世隆.非晶态半导体多层膜a-Si:H/a-SiN_x:H结构在低温下的PPC效应研究[J].半导体技术,1988(5). |
| 作者姓名： | 王万录 廖克俊 马世隆 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 (王万录，廖克俊)，兰州大学物理系(马世隆) |
| 摘 要： | 本文研究了非晶态半导体多层膜a-St:H/a-SiN_x:H结构在低温下(150～250K)的持续光电导效应(PPC),实验表明PPC效应强烈地依赖于曝光时间、强度和温度,并且与外加偏压和a-SiN_x:H的层数有关.这个结果被解释为a-Si:H体内光生电子-空穴对在a-Si:H和a-SiN_x:H界面处电场分离和陷阱效应. |
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