| 稀释气体对化学气相沉积SiC涂层生长行为的影响 |
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| 引用本文： | 刘荣军,张长瑞,周新贵,曹英斌,刘晓阳. 稀释气体对化学气相沉积SiC涂层生长行为的影响[J]. 硅酸盐学报, 2004, 32(12): 1563-1566 |
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| 作者姓名： | 刘荣军 张长瑞 周新贵 曹英斌 刘晓阳 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学,航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国防预研重点(41312011002)资助项目 |
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| 摘 要： | 以CH3SiCl3-H2为反应气体，采用Ar和H2作为稀释气体。在1100℃、负压条件下，由化学气相沉积制备了SiC涂层,研究了稀释气体对涂层沉积速率、形貌以及晶体结构的影响。以Ar为稀释气体时，随着稀释气体流量的增加沉积速率迅速减小；用Ar作稀释气体制备的SiC涂层相对粗糙，随着Ar流量的增加，晶粒簇之间的空隙较大，涂层变得疏松。XRD分析表明：当稀释气体Ar流量超过200ml／min时,涂层中除了β-SiC外，还逐渐出现了少量的α-SiC。以H2为稀释气体时，当H2流量增加到400ml／min时，涂层的沉积速率迅速增大；以H2为稀释气体制备的SiC涂层致密、光滑，沉积的SiC涂层全部是β-SiC，且具有非常强的(111)晶面取向，涂层中无α-SiC出现。
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| 关 键 词： | 稀释气体 化学气相沉积 SiC涂层 生长行为 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)12-1563-04 |
| 修稿时间： | 2004-02-06 |
EFFECT OF DILUENT GASES ON GROWTH BEHAVIOR OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SiC COATINGS |
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| LIU Rongjun,ZHANG Changrui,ZHOU Xingui,CAO Yingbin,LIU Xiaoyang. EFFECT OF DILUENT GASES ON GROWTH BEHAVIOR OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SiC COATINGS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2004, 32(12): 1563-1566 |
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| Authors: | LIU Rongjun ZHANG Changrui ZHOU Xingui CAO Yingbin LIU Xiaoyang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diluent gases chemical vapor deposition silicon carbide coatings growth behavior |
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