一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计 |
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引用本文: | 朱樟明,杨银堂. 一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计[J]. 电路与系统学报, 2004, 9(4): 118-120,128 |
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作者姓名: | 朱樟明 杨银堂 |
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作者单位: | 西安电子科技大学 微电子研究所,陕西,西安,710071 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划),2002AA1Z1210, |
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摘 要: | 在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身的电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。
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关 键 词: | CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比 |
文章编号: | 1007-0249(2004)04-0118-04 |
A 10-ppm/℃ Low Voltage CMOS Band-gap Voltage Reference |
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Abstract: | |
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Keywords: | CMOS |
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