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| BEOL工艺综合Integration—low—k Dual／Damascene的形成 | |
| 作者姓名： | Li－HungChen KaoruMaekawa 等 |
| 作者单位： | [1]TokyoElectronShanghaiLtd [2]TokyoElectronLted.lapan |
| 摘 要： | 1简介当前,从成膜方法来讲,ILDlow-k材料大致上分为两类:一类是以SiCOH为代表的CVD(化学气相淀积)膜,另一类是SOD(旋转涂层)膜,它包括有机的、无机的和SiCOH。从IC制造者的角度来看,low-k材料的选择是一项艰难的工作,因为选择low-k材料,不能只考虑膜材料的性能,还需要考虑它与铜的结合以及DualDamascene统合等情况。当把low-k材料用于铜互联系统时,不仅需要解决许多技术问题,而且还有许多与CoO/CoC有关的问题。我们从单工程和整体工程Integration结合着手,提出了一些解决办法。对low-k膜来说,为了降低CoC,建议采用RSC(Reduced… |
| 关 键 词： | BEOL工艺 Dual／Damascene LOW－K材料 SOD沉淀 蚀刻技术 |
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