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| 6N沟道金属-氧化物-半导体 | |
| 引用本文： | 朝荣.6N沟道金属-氧化物-半导体[J].微电子学,1973(3). |
| 作者姓名： | 朝荣 |
| 摘 要： | 一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下 |
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