TiO2陶瓷在磁控溅射中电导率改变机理研究 |
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引用本文: | 赵大庆,杨锋. TiO2陶瓷在磁控溅射中电导率改变机理研究[J]. 压电与声光, 2003, 25(1): 81-83 |
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作者姓名: | 赵大庆 杨锋 |
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作者单位: | 清华大学,机械工程系,北京,100084 |
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摘 要: | 在Ar气氛中对TiO2陶瓷进行射频磁控溅射时,TiO2陶瓷电导经发生显著变化。该文对这一现象进行了研究。采用多种分析手段对实验结果进行了分析。分析表明,辉光放电电离Ar气所产生的Ar离子冲击TiO2陶瓷表面的热量和动量被O^2-吸收,引进O^2-溢出TiO2陶瓷,导致TiO2化学配比偏离正常,从而提高了TiO2陶瓷的电导率。
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关 键 词: | TiO2陶瓷 射频磁控溅射 电导率 |
文章编号: | 1004-2474(2003)01-0081-03 |
修稿时间: | 2002-06-05 |
Research on the Mechanism of the Changing Conductivity of TiO2 Ceramics in RF Magnetic Sputtering |
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Abstract: | |
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Keywords: | RF magnetic sputtering TiO_2 conductivity |
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